大家肯定都知道，最近芯片的制程可谓越来越棒了，当前全球半导体最先进的制程已经发展到5nm了。
但是随着芯片制程技术的提高，内存的漏电问题更加严重，这有可能导致比特翻转，数据泄露，会进一步影响整个器件和系统的性质。
很多原先只存在于理论上的攻击方法，如今在现实中也确确实实地发生了。
这不，最近，谷歌又发现了一个大bug。
研究人员发现了一种“半双工”的新型Rowhammer攻击技术（下文简称“R攻击”），它可以通过操纵计算机内存芯片DRAM （动态随机存取存储器）中的电荷来破坏或泄露数据。
提到这种R攻击的问题，还得从技术上说起。
其实，2014年的一篇论文就在当时主流的DDR3内存中就首次讨论了R攻击的可能性。
第二年，Google的project zero便针对R攻击，发布了一个实质性的工作漏洞。
作为回应，DRAM的制造商在芯片中加入了新的逻辑，可以跟踪频繁访问的地址，并在必要时进行消除。
后来随着 DDR4 被广泛采用，因为这些器件都有内置的防御机制，所以R攻击的问题似乎已经解决了。
但在 2020 年，研究人员开发了一种名叫TRRespass工具，展示了如何通过分发访问，来攻破防御，证明了R攻击技术仍然可行。
今年，研究人员又开发了一种新的名叫SMASH的攻击，进一步演示了如何利用JavaScript进行攻击，而不需要调用缓存的原语句。
看来问题越来越大了。
既然R攻击技术如此神通广大，不容小觑，那让我们来看看它的原理具体是什么？
R攻击是一种针对DRAM漏洞的攻击技术。
通过它重复访问一个地址时，可能会篡改存储在其他地址上的数据，当一个DRAM行被反复访问时，在相邻的两行会发生“比特翻转”。
具体来说就是：
在攻击时，黑客在DRAM晶体管的“行”上反复运行相同的程序，以攻击该行，直到它把电泄漏到相邻的行。
这种泄漏可以将下一排晶体管中的一个比特从1翻转为0，或者从0翻转为1。
由于被攻击的单元格的值发生了变化，它导致相邻行的数据也发生变化。
这意味着在理论上，攻击者可以改变内存中任何比特的值，通过翻转足够多的比特，攻击者甚至可以操纵目标系统。
那为什么今年这种技术又爆火了呢？这是因为又有了一些新变化：
目前的R攻击技术主要采用了“半双工”技术。
此前通过重复访问一个内存地址，只可以访问相邻行的 DRAM 地址。
但现在，谷歌已经证明：
R攻击已经可以成功传播到相邻行以外的行，虽然效率还不是很高。
这种情况说明，攻击某一行所产生的“涟漪效应”会特别大，最终会带来整个系统的崩溃。
说到“半双工”，再来看看“半双工”的过程是什么？
研究人员先是尝试多次访问地址“A”，然后顺利实现了对地址“B”的数十次访问，接着又向地址“C”发起了攻击。
这种技术在晶体管的“行”相距较远的旧一代DRAM中并无作用。
但是，由于摩尔定律将晶体管变得更加紧密，所以这种“半双工”的R攻击风险正在增加。
正是因为这一代的DRAM制程不断提高，所以内存行之间的距离也在减少，使其更容易发生漏洞，触发“比特翻转”。
有网友表示：
这种攻击利用了写入新数据时，DRAM单元中翻转的电磁特性。但是这种攻击仅在学术环境中有，从未在现实世界中使用过。
但也有网友表示这并不是只在学术环境里运行，并给出了实例。
看来这项攻击的确具有现实意义，不可不防啊！
这并不是R攻击第一次似乎得到解决，然后又忽然跳水。
阿姆斯特丹自由大学的研究人员在过去的18个月中多次强调：
目前的芯片防御系统可以抵御传统的R攻击。
但是，存储芯片的制程提高可能会带来R攻击的新风险。
在最坏的情况下，恶意代码有可能通过这种攻击逃脱沙箱环境，甚至接管系统。
对此，谷歌表示：
谷歌正在和独立的半导体工程贸易组织JEDEC以及半导体行业的几家公司合作，寻找“R攻击的可能解决方案”，并鼓励其他专家加入一起努力，因为这个挑战对整个行业都有巨大影响。
的确啊，虽然现在这些黑客技术需要技巧，甚至一些运气才能实现有针对性的攻击。
但因为基本上现在所有计算设备都存在潜在的R攻击可能，所以寻求解决方案还是迫在眉睫的。
目前，JEDEC已经发布了两项权宜之计(JEP 300-1和JEP 301-1)，向广大用户进行了提醒。
希望会有实实在在的效果吧。
不知道下次R攻击会不会再起风云呢？
“
