台积电5nm测试芯片良率达80%，预计明年上半年大规模量产

在IEEE IEDM大会上，台积电官方给出确凿数据，称处于风险试产阶段的5nm测试芯片良品率平均已达80%，最高可超过90%。

不过这些芯片相对简单，如果放到复杂的移动和桌面芯片上，良品率还达不到这么高，但具体数据未公开。

台积电5nm工艺的测试芯片有两种，一种是256Mb SRAM，单元面积包括25000平方纳米的高电流版本、21000平方纳米的高密度版本。

另一种综合了SRAM、CPU/GPU逻辑单元、IO单元，面积占比分别为30％、60％、10％，总面积估计大约17.92平方毫米。

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